APT25SM120B

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Specifiche

Modello di prodotti

APT25SM120B
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

POWER MOSFET - SIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

175 mOhm @ 10A, 20V
Dissipazione di potenza (max)

175W (Tc)
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Tensione drain-source (Vdss)

1200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1200V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Descrizione: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Produttori: Diodes Incorporated

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