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APT25SM120S

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT25SM120S
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    POWER MOSFET - SIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Tecnologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    175 mOhm @ 10A, 20V
  • Dissipazione di potenza (max)
    175W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    D-3 Module
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    72nC @ 20V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1200V 25A (Tc) 175W (Tc) Chassis Mount D3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

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Descrizione: IGBT 1200V 54A 347W TO247

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