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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT28F60S
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5527504Immagine APT28F60S.Microsemi

APT28F60S

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT28F60S
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D3Pak
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    220 mOhm @ 14A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    520W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5575pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 30A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)
APT2X100D20J

APT2X100D20J

Descrizione: DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT2X100D30J

APT2X100D30J

Descrizione: DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT29F100B2

APT29F100B2

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT2X100D100J

APT2X100D100J

Descrizione: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT2X100D40J

APT2X100D40J

Descrizione: DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT28F60B

APT28F60B

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT2X100D120J

APT2X100D120J

Descrizione: DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT28M120B2

APT28M120B2

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT29F80J

APT29F80J

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Descrizione: IGBT 900V 48A 223W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT26F120L

APT26F120L

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT29F100L

APT29F100L

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Descrizione: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
APT25SM120B

APT25SM120B

Descrizione: POWER MOSFET - SIC

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT25SM120S

APT25SM120S

Descrizione: POWER MOSFET - SIC

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT26F120B2

APT26F120B2

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT28M120L

APT28M120L

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Descrizione: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino

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