Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APT47GA60JD40
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
6244284Immagine APT47GA60JD40.Microsemi Corporation

APT47GA60JD40

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$29.35
10+
$27.149
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT47GA60JD40
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 87A 283W SOT-227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT47GA60JD40.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    87A
  • Tensione - Ripartizione
    ISOTOP®
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    PT
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    600V
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Potenza - Max
    283W
  • Polarizzazione
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    Standard
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    APT47GA60JD40
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    2.5V @ 15V, 47A
  • Ingresso
    6.32nF @ 25V
  • Descrizione espansione
    IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
  • Descrizione
    IGBT 600V 87A 283W SOT-227
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    275µA
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    No
  • Finitura contatto
    Single

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT47GA60JD40".
APT45GR65B

APT45GR65B

Descrizione: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT5010B2FLLG

APT5010B2FLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT4F120K

APT4F120K

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT47M60J

APT47M60J

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT48M80L

APT48M80L

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT47F60J

APT47F60J

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT48M80B2

APT48M80B2

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT45GP120J

APT45GP120J

Descrizione: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Descrizione: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Descrizione: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT45M100J

APT45M100J

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT4M120K

APT4M120K

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Descrizione: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.