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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT47F60J
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3093691Immagine APT47F60J.Microsemi

APT47F60J

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT47F60J
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    540W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    27 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 49A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    49A (Tc)
APT47M60J

APT47M60J

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Descrizione: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Descrizione: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT45M100J

APT45M100J

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT4F120K

APT4F120K

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT48M80L

APT48M80L

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GP120J

APT45GP120J

Descrizione: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Descrizione: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT4M120K

APT4M120K

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT48M80B2

APT48M80B2

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Descrizione: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GR65B

APT45GR65B

Descrizione: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Descrizione: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino

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