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APT70GR65B2DU40

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT70GR65B2DU40
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT70GR65B2DU40.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.4V @ 15V, 70A
  • Condizione di test
    433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    18ns/170ns
  • Contenitore dispositivo fornitore
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    595W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    28 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • carica gate
    305nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    280A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    134A

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Spedizione
Pagamento
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 600V 121A 520W TO-247

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Descrizione: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi Corporation
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Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

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Descrizione: MOD DIODE 600V SOT-227

Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 650V 134A 595W TO-247

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