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1823774Immagine APT70GR65B.Microsemi

APT70GR65B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT70GR65B
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 650V 134A 595W TO-247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT70GR65B.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.4V @ 15V, 70A
  • Condizione di test
    433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    19ns/170ns
  • di scambio energetico
    1.51mJ (on), 1.46mJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    595W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • carica gate
    305nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    260A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    134A

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Pagamento
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Produttori: Microsemi Corporation
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Descrizione: MOD DIODE 1200V SOT-227

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: POWER MOSFET - SIC

Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
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