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670462Immagine APT66M60L.Microsemi

APT66M60L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT66M60L
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT66M60L.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-264 [L]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    190 mOhm @ 33A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1135W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    25 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

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Pagamento
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APT66F60L

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

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Descrizione: IGBT 600V 198A 833W TO264

Produttori: Microsemi
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APT64GA90B2D30

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Descrizione: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
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Descrizione: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
APT64GA90LD30

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Descrizione: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT70GR120JD60

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Descrizione: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Produttori: Microsemi
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APT65GP60B2G

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Descrizione: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT70GR120J

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Descrizione: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Produttori: Microsemi
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APT70GR120B2

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Descrizione: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT68GA60LD40

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Descrizione: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Produttori: Microsemi
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RFQ
APT66M60B2

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT66F60B2

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT70GR65B

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Descrizione: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT65GP60J

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Descrizione: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Produttori: Microsemi
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APT68GA60B2D40

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Descrizione: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT70GR65B2DU40

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Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT68GA60B

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Descrizione: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APT64GA90B

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Descrizione: IGBT 900V 117A 500W TO247

Produttori: Microsemi
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RFQ
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