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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT75F50L
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6116237Immagine APT75F50L.Microsemi

APT75F50L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT75F50L
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 500V 75A TO-264
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-264 [L]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    75 mOhm @ 37A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1040W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    23 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    11600pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    290nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    500V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    75A (Tc)
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Descrizione: MOD DIODE 600V SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Descrizione: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Descrizione: MOD DIODE 1200V SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Descrizione: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN120J

APT75GN120J

Descrizione: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Descrizione: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT70SM70B

APT70SM70B

Descrizione: POWER MOSFET - SIC

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT70SM70S

APT70SM70S

Descrizione: POWER MOSFET - SIC

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GP120J

APT75GP120J

Descrizione: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Descrizione: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Descrizione: MOD DIODE 1700V SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT70SM70J

APT70SM70J

Descrizione: POWER MOSFET - SIC

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75F50B2

APT75F50B2

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Descrizione: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino

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