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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > APT75GN120LG
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3101795Immagine APT75GN120LG.Microsemi

APT75GN120LG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT75GN120LG
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 200A 833W TO264
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 75A
  • Condizione di test
    800V, 75A, 1 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    60ns/620ns
  • di scambio energetico
    8620µJ (on), 11400µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-264 [L]
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    833W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-264-3, TO-264AA
  • Altri nomi
    APT75GN120LGMI
    APT75GN120LGMI-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    425nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    225A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    200A
APT75M50B2

APT75M50B2

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Descrizione: MOD DIODE 600V SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Descrizione: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Descrizione: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Descrizione: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75F50L

APT75F50L

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN120J

APT75GN120J

Descrizione: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
APT75F50B2

APT75F50B2

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Descrizione: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Descrizione: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Descrizione: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Descrizione: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GP120J

APT75GP120J

Descrizione: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Descrizione: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino

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