Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > APT75GN60BG
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1618156Immagine APT75GN60BG.Microsemi

APT75GN60BG

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$8.49
10+
$7.639
30+
$6.96
120+
$6.281
270+
$5.772
510+
$5.262
1020+
$4.583
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT75GN60BG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 155A 536W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APT75GN60BG.pdf
    2.APT75GN60BG.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.85V @ 15V, 75A
  • Condizione di test
    400V, 75A, 1 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    47ns/385ns
  • di scambio energetico
    2500µJ (on), 2140µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247 [B]
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    536W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    485nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B]
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    225A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    155A

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT75GN60BG".
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75F50B2

APT75F50B2

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Descrizione: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75F50L

APT75F50L

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GP120J

APT75GP120J

Descrizione: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Descrizione: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75M50L

APT75M50L

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75M50B2

APT75M50B2

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Descrizione: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Descrizione: IGBT 600V 155A 536W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Descrizione: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Descrizione: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Descrizione: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT77N60BC6

APT77N60BC6

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Descrizione: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Descrizione: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Descrizione: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT75GN120J

APT75GN120J

Descrizione: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.