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APTM100A46FT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTM100A46FT1G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APTM100A46FT1G.pdf
    2.APTM100A46FT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 2.5mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP1
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    552 mOhm @ 16A, 10V
  • Potenza - Max
    357W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SP1
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6800pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V (1kV)
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    19A

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