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APTML20UM18R010T1AG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTML20UM18R010T1AG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 200V 109A SP1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APTML20UM18R010T1AG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP1
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    19 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    480W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SP1
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    9880pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 109A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    109A (Tc)

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