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APTMC60TLM14CAG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTMC60TLM14CAG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APTMC60TLM14CAG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.4V @ 30mA (Typ)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP6
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    12 mOhm @ 150A, 20V
  • Potenza - Max
    925W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SP6
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    8400pF @ 1000V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    483nC @ 20V
  • Tipo FET
    4 N-Channel (Three Level Inverter)
  • Caratteristica FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 219A (Tc) 925W Chassis Mount SP6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    219A (Tc)

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