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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JAN1N5616
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5852765Immagine JAN1N5616.Microsemi

JAN1N5616

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N5616
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 3A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    400V
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    2µs
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    A, Axial
  • Altri nomi
    1086-2104
    1086-2104-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 200°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 400V 1A Through Hole
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    500nA @ 400V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    -
JAN1N5612

JAN1N5612

Descrizione: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5610

JAN1N5610

Descrizione: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5614

JAN1N5614

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5611

JAN1N5611

Descrizione: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5621

JAN1N5621

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N5620

JAN1N5620

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N5615

JAN1N5615

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N5555

JAN1N5555

Descrizione: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5617

JAN1N5617

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5619

JAN1N5619

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5558

JAN1N5558

Descrizione: TVS DIODE 175V 265V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5556

JAN1N5556

Descrizione: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N5618

JAN1N5618

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino

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