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JAN1N5806URS

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N5806URS
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 150V 1A APKG
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N5806URS.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    875mV @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    150V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    A-MELF
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    25ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, A
  • Altri nomi
    1086-19435
    1086-19435-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 150V 1A Surface Mount A-MELF
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1µA @ 150V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

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