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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JANSR2N5152U3
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JANSR2N5152U3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JANSR2N5152U3
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    RH POWER BJT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    RoHS non conforme
  • Specifiche
    JANSR2N5152U3.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    80V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.5V @ 500mA, 5A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    U3
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/544
  • Stato RoHS
    RoHS non-compliant
  • Contenitore / involucro
    3-SMD, No Lead
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    33 Weeks
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 2A Surface Mount U3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 2.5A, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    2A

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