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JANSR2N7380

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JANSR2N7380
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    JANSR2N7380.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-257
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/614
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    200 mOhm @ 14.4A, 12V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta), 75W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-257-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 12V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 14.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    14.4A (Tc)

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