Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > JANSR2N7381
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
60662

JANSR2N7381

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    JANSR2N7381
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    JANSR2N7381.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-257
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/614
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    490 mOhm @ 9.4A, 12V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta), 75W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-257-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 12V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9.4A (Tc)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "JANSR2N7381".
JANSR2N5153

JANSR2N5153

Descrizione: RH POWER BJT

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANSR2N7269

JANSR2N7269

Descrizione: N CHANNEL MOSFET TO-254

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANSR2N7380

JANSR2N7380

Descrizione: N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANSR2N7262U

JANSR2N7262U

Descrizione: N CHANNEL MOSFET LCC-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANSR2N5152U3

JANSR2N5152U3

Descrizione: RH POWER BJT

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANSR2N7261U

JANSR2N7261U

Descrizione: N CHANNEL MOSFET LCC-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTX1N1202A

JANTX1N1202A

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JANSR2N3810U

JANSR2N3810U

Descrizione: RH SMALL-SIGNAL BJT

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANSR2N7268U

JANSR2N7268U

Descrizione: N CHANNEL MOSFET SMD-1

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTX1N1184R

JANTX1N1184R

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JANTX1N1190R

JANTX1N1190R

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANSR2N7269U

JANSR2N7269U

Descrizione: N CHANNEL MOSFET SMD-1

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTX1N1190

JANTX1N1190

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANSR2N7389U

JANSR2N7389U

Descrizione: P CHANNEL MOSFET LCC-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTX1N1202AR

JANTX1N1202AR

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JANSR2N7389

JANSR2N7389

Descrizione: P CHANNEL MOSFET TO-39

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTX1N1188R

JANTX1N1188R

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JANSR2N5153U3

JANSR2N5153U3

Descrizione: RH POWER BJT

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTX1N1186

JANTX1N1186

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTX1N1186R

JANTX1N1186R

Descrizione: SILICON RECTIFIER

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.