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QJD1210011

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    QJD1210011
  • Costruttore / Marca
    Powerex, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.QJD1210011.pdf
    2.QJD1210011.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 10mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    25 mOhm @ 100A, 20V
  • Potenza - Max
    900W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Module
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    10200pF @ 800V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    500nC @ 20V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

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Produttori: LAPIS Semiconductor
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