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1895975Immagine S8KC M6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S8KC M6G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S8KC M6G
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    S8KC M6G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    985mV @ 8A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-214AB (SMC)
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AB, SMC
  • Altri nomi
    S8KC M6G-ND
    S8KCM6G
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    8A
  • Capacità a Vr, F
    48pF @ 4V, 1MHz

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
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