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3234074Immagine TSM055N03EPQ56 RLG.TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM055N03EPQ56 RLG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TSM055N03EPQ56 RLG
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TSM055N03EPQ56 RLG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-PDFN (5x6)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    74W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    TSM055N03EPQ56 RLGDKR
    TSM055N03EPQ56 RLGDKR-ND
    TSM055N03EPQ56RLGDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    28 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1210pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11.1nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 80A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

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