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3774568Immagine TSM070NB04CR RLG.TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM070NB04CR RLG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TSM070NB04CR RLG
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    TSM070NB04CR RLG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-PDFN (5x6)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3.1W (Ta), 83W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerLDFN
  • Altri nomi
    TSM070NB04CRRLGTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2403pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 15A (Ta), 75A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    15A (Ta), 75A (Tc)

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