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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > TSM090N03ECP ROG
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1847997Immagine TSM090N03ECP ROG.TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM090N03ECP ROG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TSM090N03ECP ROG
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TSM090N03ECP ROG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    9 mOhm @ 16A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    40W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    TSM090N03ECP ROGTR
    TSM090N03ECP ROGTR-ND
    TSM090N03ECPROGTR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Produttore tempi di consegna standard
    30 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    680pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 50A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

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