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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > TC58NVG3S0FTA00
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2818671Immagine TC58NVG3S0FTA00.Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG3S0FTA00

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TC58NVG3S0FTA00
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    25ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FLASH - NAND (SLC)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    48-TSOP I
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Altri nomi
    TC58NVG3S0FTA00B4H
    TC58NVG3S0FTA00YCJ
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    8Gb (1G x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • Tempo di accesso
    25ns
TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0

Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6

Descrizione: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6

Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HTA00

Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI6

Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC593002ECBTR

TC593002ECBTR

Descrizione: IC REG LINEAR -3V 80MA SOT23-3

Produttori: Micrel / Microchip Technology
In magazzino
TC58NYG1S3HBAI6

TC58NYG1S3HBAI6

Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG1S3HBAI6

TC58NVG1S3HBAI6

Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC59

TC59

Descrizione: CAP ALUM 50UF 250V AXIAL

Produttori: Cornell Dubilier Electronics
In magazzino
TC58NVG2S0HTAI0

TC58NVG2S0HTAI0

Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4

Descrizione: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC594

TC594

Descrizione: CAP ALUM 200UF 300V AXIAL

Produttori: Cornell Dubilier Electronics
In magazzino
TC58NVG2S0FTA00

TC58NVG2S0FTA00

Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC593

TC593

Descrizione: CAP ALUM 150UF 300V AXIAL

Produttori: Cornell Dubilier Electronics
In magazzino
TC58NVG2S0HTA00

TC58NVG2S0HTA00

Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4

Descrizione: 2G NAND SLC 24NM BGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG2S0HBAI4

Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
In magazzino
TC59000001

TC59000001

Descrizione: OSC MEMS 59MHZ 3.3V SMD

Produttori: TXC Corporation
In magazzino

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