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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > TC58NYG2S0HBAI4
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TC58NYG2S0HBAI4

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    TC58NYG2S0HBAI4
  • Costruttore / Marca
    Kioxia America, Inc.
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    TC58NYG2S0HBAI4.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    25ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    FLASH - NAND (SLC)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    63-TFBGA (9x11)
  • Serie
    -
  • Contenitore / involucro
    63-VFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    -
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11)

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Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

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Descrizione: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Produttori: Toshiba Memory America, Inc.
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Descrizione: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

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Produttori: Micrel / Microchip Technology
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Produttori: Cornell Dubilier Electronics
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In magazzino
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