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50722Immagine RN2112,LF(CT.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112,LF(CT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RN2112,LF(CT
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RN2112,LF(CT.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SSM
  • Serie
    -
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Potenza - Max
    100mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SC-75, SOT-416
  • Altri nomi
    RN2112(T5LFT)CT
    RN2112(T5LFT)CT-ND
    RN2112,LF(CTCT
    RN2112,LF(CTCT-ND
    RN2112LF(CBCT
    RN2112LF(CBCT-ND
    RN2112LF(CTCT
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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