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RN2115MFV,L3F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RN2115MFV,L3F
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RN2115MFV,L3F.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    VESM
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potenza - Max
    150mW
  • Contenitore / involucro
    SOT-723
  • Altri nomi
    RN2115MFVL3F
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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