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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > RN2902(T5L,F,T)
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3680570Immagine RN2902(T5L,F,T).Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902(T5L,F,T)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RN2902(T5L,F,T)
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    US6
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    RN2902(T5LFT)TR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2902FE(T5L,F,T)

RN2902FE(T5L,F,T)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2901(T5L,F,T)

RN2901(T5L,F,T)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2903-I/RM095

RN2903-I/RM095

Descrizione: RF TXRX MODULE ISM<1GHZ SMA ANT

Produttori: Micrel / Microchip Technology
In magazzino
RN2903FE(TE85L,F)

RN2903FE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2902,LF

RN2902,LF

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2903,LF

RN2903,LF

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2902,LF(CT

RN2902,LF(CT

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2902FE,LF(CT

RN2902FE,LF(CT

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2903,LF(CT

RN2903,LF(CT

Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RN2903A-I/RM098

RN2903A-I/RM098

Descrizione: RF MODULE

Produttori: Micrel / Microchip Technology
In magazzino
RN2903A-I/RM103

RN2903A-I/RM103

Descrizione: TXRX RF MOD LORA 47PIN RM

Produttori: Micrel / Microchip Technology
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