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Immagine SSM3J46CTB(TPL3).

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J46CTB(TPL3)

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Specifiche

Modello di prodotti

SSM3J46CTB(TPL3)
Costruttore / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.SSM3J46CTB(TPL3).pdf
2.SSM3J46CTB(TPL3).pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

CST3B
Serie

U-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs

103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

-
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

3-SMD, No Lead
Altri nomi

SSM3J46CTB (TPL3)
SSM3J46CTB(TPL3)TR
SSM3J46CTBTPL3
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

P-Channel 20V 2A (Ta) Surface Mount CST3B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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