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5547030Immagine SSM3K123TU,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K123TU,LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SSM3K123TU,LF
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.SSM3K123TU,LF.pdf
    2.SSM3K123TU,LF.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    UFM
  • Serie
    U-MOSIII
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    28 mOhm @ 3A, 4V
  • Dissipazione di potenza (max)
    500mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    3-SMD, Flat Leads
  • Altri nomi
    SSM3K123TU(T5LT)CT
    SSM3K123TU(T5LT)CT-ND
    SSM3K123TU(TE85L)CT
    SSM3K123TU(TE85L)CT-ND
    SSM3K123TULFCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1010pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    13.6nC @ 4V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 4.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

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