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Immagine SSM3K309T(TE85L,F).

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K309T(TE85L,F)

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Specifiche

Modello di prodotti

SSM3K309T(TE85L,F)
Costruttore / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SSM3K309T(TE85L,F).pdf
Vgs (th) (max) a Id

-
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TSM
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

31 mOhm @ 4A, 4V
Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

SSM3K309T(TE85LF)TR
SSM3K309TTE85LF
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 4.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A (Ta)

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