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3858009Immagine SSM3K318R,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K318R,LF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SSM3K318R,LF
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SSM3K318R,LF.pdf
  • Tensione - Prova
    235pF @ 30V
  • Tensione - Ripartizione
    SOT-23F
  • Vgs (th) (max) a Id
    107 mOhm @ 2A, 10V
  • Vgs (Max)
    4.5V, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    U-MOSIV
  • Stato RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.5A (Ta)
  • Polarizzazione
    SOT-23-3 Flat Leads
  • Altri nomi
    SSM3K318RLFCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    SSM3K318R,LF
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7nC @ 10V
  • Tipo IGBT
    ±20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.8V @ 1mA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    60V
  • rapporto di capacità
    1W (Ta)

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