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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SSM3K315T(TE85L,F)
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1588656Immagine SSM3K315T(TE85L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K315T(TE85L,F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SSM3K315T(TE85L,F)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 6A TSM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.SSM3K315T(TE85L,F).pdf
    2.SSM3K315T(TE85L,F).pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSM
  • Serie
    U-MOSIV
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    27.6 mOhm @ 4A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    700mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    SSM3K315T(T5LFT)TR
    SSM3K315T(T5LFT)TR-ND
    SSM3K315T(TE85L)
    SSM3K315T(TE85L)TR
    SSM3K315T(TE85L)TR-ND
    SSM3K315T(TE85LF)TR
    SSM3K315TTE85L
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    450pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    10.1nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

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