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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > T2N7002AK,LM
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T2N7002AK,LM

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    T2N7002AK,LM
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 0.2A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    T2N7002AK,LM.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23
  • Serie
    U-MOSVII-H
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.9 Ohm @ 100mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    320mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    T2N7002AKLM(BCT
    T2N7002AKLM(BCT-ND
    T2N7002AKLMCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    17pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.35nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

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