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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FCU600N65S3R0
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1379504Immagine FCU600N65S3R0.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU600N65S3R0

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FCU600N65S3R0
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    SUPERFET3 650V IPAK PKG
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FCU600N65S3R0.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 600µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I-PAK
  • Serie
    SuperFET® III
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    600 mOhm @ 3A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    54W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Altri nomi
    FCU600N65S3R0-ND
    FCU600N65S3R0OS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Not Applicable
  • Stato senza piombo
    Lead free
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    465pF @ 400V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Produttori: Bussmann (Eaton)
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Produttori: STMicroelectronics
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V IPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FCU5N60TU

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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