Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > FCU900N60Z
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1039700Immagine FCU900N60Z.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU900N60Z

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$1.49
10+
$1.319
100+
$1.043
500+
$0.808
1000+
$0.638
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    FCU900N60Z
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FCU900N60Z.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I-PAK
  • Serie
    SuperFET® II
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    900 mOhm @ 2.3A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    52W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    710pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26/01/2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Il microchip annuncia 500 licenziamenti, con costi di ristr...

04/12/2024

Quanta: la domanda di intelligenza artificiale continua ad ...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

Samsung riduce in modo significativo l'utilizzo fotores...

02/12/2024

Vishay investirà £ 51 milioni nel wafer NWF acquisito Fab

29/11/2024

Minaccia tariffaria di Trump, Nvidia, fornitori di Intel RI...

28/11/2024

Intel riceverà $ 7,86 miliardi di sussidi ai sensi della U...

27/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "FCU900N60Z".
NTD4809NA-1G

NTD4809NA-1G

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
IXFK44N50Q

IXFK44N50Q

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
SSM3J120TU,LF

SSM3J120TU,LF

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4A UFM

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Descrizione: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Produttori: Murata Electronics
In magazzino
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
FCU-7

FCU-7

Descrizione: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
RFQ
IRC634PBF

IRC634PBF

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Descrizione: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
BSC0906NSATMA1

BSC0906NSATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IXTA200N085T

IXTA200N085T

Descrizione: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTC130N15T

IXTC130N15T

Descrizione: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Descrizione: MOSFET N-CH 600V IPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
FCU-2

FCU-2

Descrizione: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciNotiziaMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.