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HGT1N30N60A4D

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HGT1N30N60A4D
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    HGT1N30N60A4D.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 30A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227B
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    255W
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Single 600V 96A 255W Chassis Mount SOT-227B
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    250µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    96A
  • Configurazione
    Single

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Spedizione
Pagamento
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