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2271170Immagine HGT1S14N36G3VLT.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGT1S14N36G3VLT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HGT1S14N36G3VLT
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 390V 18A 100W TO262AA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    HGT1S14N36G3VLT.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    390V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.2V @ 5V, 14A
  • Condizione di test
    300V, 7A, 25 Ohm, 5V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    -/7µs
  • di scambio energetico
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I2PAK (TO-262)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    100W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Logic
  • Tipo IGBT
    -
  • carica gate
    24nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT 390V 18A 100W Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    18A

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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