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306568Immagine HGT1S12N60A4S9A.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGT1S12N60A4S9A

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HGT1S12N60A4S9A
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 54A 167W TO263AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    HGT1S12N60A4S9A.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 12A
  • Condizione di test
    390V, 12A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    17ns/96ns
  • di scambio energetico
    55µJ (on), 50µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-263AB
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    167W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    HGT1S12N60A4S9ATR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • carica gate
    78nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT 600V 54A 167W Surface Mount TO-263AB
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    96A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    54A
  • Numero di parte base
    HGT1S12N60

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