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6423036Immagine HGTG40N60B3.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG40N60B3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HGTG40N60B3
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 70A 290W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    HGTG40N60B3.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2V @ 15V, 40A
  • Condizione di test
    480V, 40A, 3 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    47ns/170ns
  • di scambio energetico
    1.05mJ (on), 800µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    290W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    HGTG40N60B3-ND
    HGTG40N60B3FS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • carica gate
    250nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-247
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    330A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    70A

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Pagamento
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