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HGTP10N120BN

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HGTP10N120BN
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.HGTP10N120BN.pdf
    2.HGTP10N120BN.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • Condizione di test
    960V, 10A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    23ns/165ns
  • di scambio energetico
    320µJ (on), 800µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    298W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    HGTP10N120BN-ND
    HGTP10N120BNFS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • carica gate
    100nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    80A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    35A

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In magazzino
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Descrizione: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
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Descrizione: IGBT 600V 70A 290W TO220AB

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

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