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HGTP7N60B3D

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HGTP7N60B3D
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 14A 60W TO220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.HGTP7N60B3D.pdf
    2.HGTP7N60B3D.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 7A
  • Condizione di test
    480V, 7A, 50 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    26ns/130ns
  • di scambio energetico
    160µJ (on), 120µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    37ns
  • Potenza - Max
    60W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • carica gate
    23nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT 600V 14A 60W Through Hole TO-220AB
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    56A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    14A
  • Numero di parte base
    HGTP7N60

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