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4105424Immagine NJVMJD122T4G-VF01.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD122T4G-VF01

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NJVMJD122T4G-VF01
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NJVMJD122T4G-VF01.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    4V @ 8A, 80mA
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.75W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    NJVMJD122T4G
    NJVMJD122T4G-ND
    NJVMJD122T4G-VF01OSTR
    NJVMJD122T4GOSTR
    NJVMJD122T4GOSTR-ND
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    14 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 1.75W Surface Mount DPAK
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    8A
  • Numero di parte base
    MJD122

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS PNP 100V 4A DPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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Descrizione: TRANS NPN 60V 10A DPAK-4

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3

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