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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > NJVMJD2955T4G

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Immagine NJVMJD2955T4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD2955T4G

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Specifiche

Modello di prodotti

NJVMJD2955T4G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 60V 10A DPAK-4
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NJVMJD2955T4G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

8V @ 3.3A, 10A
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

-
Potenza - Max

1.75W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

NJVMJD2955T4G-ND
NJVMJD2955T4GOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

2MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max)

50µA
Corrente - collettore (Ic) (max)

10A
Numero di parte base

MJD2955

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