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NJVMJD253T4G-VF01

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Specifiche

Modello di prodotti

NJVMJD253T4G-VF01
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 100V 4A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NJVMJD253T4G-VF01.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

Automotive, AEC-Q101
Potenza - Max

12.5W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

NJVMJD253T4G-VF01-ND
NJVMJD253T4G-VF01OSTR
temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

40MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 12.5W Surface Mount DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

4A

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