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4027481Immagine NJVMJD350T4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD350T4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NJVMJD350T4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 300V 0.5A DPAK-4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NJVMJD350T4G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    300V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 10mA, 100mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.56W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    NJVMJD350T4GOSCT
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    6 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    10MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 50mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA
  • Numero di parte base
    MJD350

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