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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > NJVMJD44E3T4G

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Immagine NJVMJD44E3T4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD44E3T4G

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Specifiche

Modello di prodotti

NJVMJD44E3T4G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK-4
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NJVMJD44E3T4G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

80V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

2V @ 20mA, 10A
Tipo transistor

NPN - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

-
Potenza - Max

1.75W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

-
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 10A 1.75W Surface Mount DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)

10µA
Corrente - collettore (Ic) (max)

10A

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