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4325796Immagine NJVMJD31CT4G-VF01.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD31CT4G-VF01

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NJVMJD31CT4G-VF01
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 100V 3A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NJVMJD31CT4G-VF01.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.56W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    NJVMJD31CT4G
    NJVMJD31CT4G-ND
    NJVMJD31CT4G-VF01OSTR
    NJVMJD31CT4GOSTR
    NJVMJD31CT4GOSTR-ND
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    17 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    3MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    25 @ 1A, 4V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    50µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    3A
  • Numero di parte base
    MJD31

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