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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NVC6S5A354PLZT1G
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352053Immagine NVC6S5A354PLZT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVC6S5A354PLZT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVC6S5A354PLZT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVC6S5A354PLZT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-CPH
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    100 mOhm @ 2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.9W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Altri nomi
    NVC6S5A354PLZT1G-ND
    NVC6S5A354PLZT1GOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    13 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 60V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-CPH
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

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